UNIST, 더 작고 빠른 반도체 핵심 신소재 발견
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평여송
작성일20-06-25 17:17
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'초저유전율 절연체' 성질 분석자료와 연구그림 (유니스트제공)© 뉴스1
(울산=뉴스1) 손연우 기자 = 울산과학기술원(UNIST)은 신현석 자연과학부 교수팀과 삼성전자 종합기술원(원장 황성우)의 신현진 전문연구원팀, 기초과학연구원(IBS)을 포함하는 국제 공동 연구진이 반도체 집적회로(Integrated Chip, IC칩)에 사용될 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다고 25일 밝혔다.
합성된 절연체를 사용할 경우 반도체 회로간 전기적 간섭을 획기적으로 줄여 '소자 미세화'가 가능하고, 메모리와 같은 반도체 칩의 작동 속도를 높일 수 있게 될 것으로 전망된다.
UNIST에 따르면 반도체 칩에 많은 데이터를 저장하고 정보처리 속도를 빠르게 하려면 칩 안에 소자 숫자가 늘어나야 하지만 더 많은 소자를 넣으려고 소자 크기를 작게 만들면 오히려 정보처리 속도가 느려질 수 있다.
반도체 내부에서 전자를 금속 배선 안에만 머무르게 만드는 '절연체'가 전자를 모으는 성질(유전율)이 있어 전자의 흐름을 방해하게 되는데, 반도체 소자가 작아지고 배선 사이 간격이 좁아지면 이러한 현상이 더 심해진다.
이때문에 반도체 소자의 집적도를 높이려면 금속 배선에서 전자 이탈은 막으면서도 유전율은 낮은 절연체가 필요하다.
이와 관련해 공동 연구팀은 기존 절연체보다 낮은 유전율을 갖는 '비정질 질화붕소(amorphous boron nitride) 소재'를 합성하고 낮은 유전율을 갖는 원인을 밝혀냈다.
이에 더해 연구팀은 '비정질 질화붕소'가 기계적 강도 또한 우수하다는 것을 입증했다.
기존에는 절연체의 유전율을 낮추기 위해 소재 안에 미세한 공기 구멍을 넣어 강도가 약해지는 등 단점이 있었지만 '비정질 질화붕소'는 물질 자체의 유전율이 낮아 이런 작업이 필요 없고 기계적 강도도 유지할 수 있다.
특히 이 물질은 전자의 이동을 막을 뿐만 아니라 금속 원자가 반도체 영역으로 침범하는 것을 막는 '금속 확산 방지막' 역할도 가능하다.
신현진 삼성전자 종합기술원 전문연구원은 "이번 연구결과는 학계와 산업계의 상호협력을 통한 시너지 창출의 모범적인 사례"라고 말했다.
신현석 UNIST 교수는 "이 물질이 상용화된다면 중국의 반도체 굴기와 일본의 수출 규제 등 반도체 산업에 닥친 위기를 이겨내는 데 큰 도움이 될 것"이라며 "반도체 초격자 전략을 이어가는 데 도움이 될 소재 기술"이라고 강조했다.
[email protected]
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© 뉴스1코리아(news1.kr), 무단 전재 및 재배포 금지
'초저유전율 절연체' 성질 분석자료와 연구그림 (유니스트제공)© 뉴스1(울산=뉴스1) 손연우 기자 = 울산과학기술원(UNIST)은 신현석 자연과학부 교수팀과 삼성전자 종합기술원(원장 황성우)의 신현진 전문연구원팀, 기초과학연구원(IBS)을 포함하는 국제 공동 연구진이 반도체 집적회로(Integrated Chip, IC칩)에 사용될 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다고 25일 밝혔다.
합성된 절연체를 사용할 경우 반도체 회로간 전기적 간섭을 획기적으로 줄여 '소자 미세화'가 가능하고, 메모리와 같은 반도체 칩의 작동 속도를 높일 수 있게 될 것으로 전망된다.
UNIST에 따르면 반도체 칩에 많은 데이터를 저장하고 정보처리 속도를 빠르게 하려면 칩 안에 소자 숫자가 늘어나야 하지만 더 많은 소자를 넣으려고 소자 크기를 작게 만들면 오히려 정보처리 속도가 느려질 수 있다.
반도체 내부에서 전자를 금속 배선 안에만 머무르게 만드는 '절연체'가 전자를 모으는 성질(유전율)이 있어 전자의 흐름을 방해하게 되는데, 반도체 소자가 작아지고 배선 사이 간격이 좁아지면 이러한 현상이 더 심해진다.
이때문에 반도체 소자의 집적도를 높이려면 금속 배선에서 전자 이탈은 막으면서도 유전율은 낮은 절연체가 필요하다.
이와 관련해 공동 연구팀은 기존 절연체보다 낮은 유전율을 갖는 '비정질 질화붕소(amorphous boron nitride) 소재'를 합성하고 낮은 유전율을 갖는 원인을 밝혀냈다.
이에 더해 연구팀은 '비정질 질화붕소'가 기계적 강도 또한 우수하다는 것을 입증했다.
기존에는 절연체의 유전율을 낮추기 위해 소재 안에 미세한 공기 구멍을 넣어 강도가 약해지는 등 단점이 있었지만 '비정질 질화붕소'는 물질 자체의 유전율이 낮아 이런 작업이 필요 없고 기계적 강도도 유지할 수 있다.
특히 이 물질은 전자의 이동을 막을 뿐만 아니라 금속 원자가 반도체 영역으로 침범하는 것을 막는 '금속 확산 방지막' 역할도 가능하다.
신현진 삼성전자 종합기술원 전문연구원은 "이번 연구결과는 학계와 산업계의 상호협력을 통한 시너지 창출의 모범적인 사례"라고 말했다.
신현석 UNIST 교수는 "이 물질이 상용화된다면 중국의 반도체 굴기와 일본의 수출 규제 등 반도체 산업에 닥친 위기를 이겨내는 데 큰 도움이 될 것"이라며 "반도체 초격자 전략을 이어가는 데 도움이 될 소재 기술"이라고 강조했다.
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신현석 UNIST 교수팀, 초저유전율 절연체 개발
비정질 질화붕소 적용해 내부 전기간섭 최소화
집적도 높이면서 성능 향상에 기여할 전망
국내 연구진이 '반도체 초격차 전략'을 이어갈 수 있는 반도체 핵심 소재를 개발했다. 반도체 칩 안의 소자를 더 작게 만들 수 있는 새로운 소재를 개발, 미세공정을 극복하면서 반도체 작동속도를 더 빠르게 구현할 수 있게 됐다.
UNIST(울산과학기술원) 신현석 교수 연구팀은 신현진 삼성전자종합기술원 전문연구원팀, IBS(기초과학연구원) 등과 국제공동 연구를 통해 반도체 소자를 더 미세하게 만들 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다고 24일 밝혔다.
반도체 소자가 갈수록 집적화됨에 따라 소자의 크기가 점점 작아지고 있다. 하지만, 나노미터 단위의 반도체 공정에서 소자가 작아질수록 내부 전기 간섭 현상이 심해져 오히려 정보처리 속도가 느려지게 된다.
이 때문에 전기 간섭을 최소화하는 낮은 유전율을 가진 신소재 개발이 반도체 한계를 극복하는 핵심 요인으로 꼽혀왔다. 유전율은 외부 전기장에 반응하는 민감도로, 유전율이 낮으면 전기적 간섭이 줄어들어 반도체 소자 내 금속 배선의 간격을 줄일 수 있어 반도체를 더 작게 만들 수 있다.
연구팀은 기존 절연체로 쓰이는 '다공성 유기규산염(유전율 2.5)'보다 유전율이 30% 이상 낮은 '비정질 질화붕소 소재'를 합성하는 데 성공했다. 비정질 질화붕소의 유전율은 1.78로, 기술적 난제로 여겨진 유전율 2.5 이하 신소재를 처음으로 발견한 것이다.
질화붕소는 규칙적인 원자 배열을 갖는 육각형 벌집모양으로, 그래핀과 원자 모양이 닮았지만 육안으로 하얗게 보여 '화이트 그래핀'으로 불린다.
연구팀은 포항가속기연구소 4D 빔라인을 활용해 비정질 붕화질소의 유전율이 낮은 것이 '원자 배열의 불규칙성'이라는 점을 알아냈다. 또한 비정질 질화붕소는 물질 자체의 유전율이 낮아 소재 안에 미세한 공기 구멍을 넣지 않고도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있다.
홍석모 UNIST 박사과정(제1저자)은 "낮은 온도에서 육방정계 질화붕소가 기판에 증착되는지 연구하던 중 우연히 '비정질 질화붕소'의 유전율 특성을 발견했고, 반도체 절연체로 적용할 수 있다는 것을 확인했다"고 말했다.
신현석 UNIST 교수는 "상용화에 성공하면 중국의 반도체 굴기와 일본 수출규제 등 반도체 산업에 닥친 위기를 반전시킬 수 있는 의미있는 연구성과"라며 "반도체 칩의 전력소모를 줄이고, 작동 속도도 높이는 데 기여할 것"이라고 밝혔다.
이번 연구결과는 세계 최고의 학술지 '네이처(25일자)'에 게재됐다.이준기기자 [email protected]
신현석 UNIST 교수 연구팀은 반도체 소자를 더 미세하게 만들 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다. 이 절연체는 반도체 칩의 전력 소모를 줄이고, 작동 속도를 높일 수 있다. UNSIT 제공
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신현석 UNIST 교수팀, 초저유전율 절연체 개발
비정질 질화붕소 적용해 내부 전기간섭 최소화
집적도 높이면서 성능 향상에 기여할 전망
국내 연구진이 '반도체 초격차 전략'을 이어갈 수 있는 반도체 핵심 소재를 개발했다. 반도체 칩 안의 소자를 더 작게 만들 수 있는 새로운 소재를 개발, 미세공정을 극복하면서 반도체 작동속도를 더 빠르게 구현할 수 있게 됐다.
UNIST(울산과학기술원) 신현석 교수 연구팀은 신현진 삼성전자종합기술원 전문연구원팀, IBS(기초과학연구원) 등과 국제공동 연구를 통해 반도체 소자를 더 미세하게 만들 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다고 24일 밝혔다.
반도체 소자가 갈수록 집적화됨에 따라 소자의 크기가 점점 작아지고 있다. 하지만, 나노미터 단위의 반도체 공정에서 소자가 작아질수록 내부 전기 간섭 현상이 심해져 오히려 정보처리 속도가 느려지게 된다.
이 때문에 전기 간섭을 최소화하는 낮은 유전율을 가진 신소재 개발이 반도체 한계를 극복하는 핵심 요인으로 꼽혀왔다. 유전율은 외부 전기장에 반응하는 민감도로, 유전율이 낮으면 전기적 간섭이 줄어들어 반도체 소자 내 금속 배선의 간격을 줄일 수 있어 반도체를 더 작게 만들 수 있다.
연구팀은 기존 절연체로 쓰이는 '다공성 유기규산염(유전율 2.5)'보다 유전율이 30% 이상 낮은 '비정질 질화붕소 소재'를 합성하는 데 성공했다. 비정질 질화붕소의 유전율은 1.78로, 기술적 난제로 여겨진 유전율 2.5 이하 신소재를 처음으로 발견한 것이다.
질화붕소는 규칙적인 원자 배열을 갖는 육각형 벌집모양으로, 그래핀과 원자 모양이 닮았지만 육안으로 하얗게 보여 '화이트 그래핀'으로 불린다.
연구팀은 포항가속기연구소 4D 빔라인을 활용해 비정질 붕화질소의 유전율이 낮은 것이 '원자 배열의 불규칙성'이라는 점을 알아냈다. 또한 비정질 질화붕소는 물질 자체의 유전율이 낮아 소재 안에 미세한 공기 구멍을 넣지 않고도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있다.
홍석모 UNIST 박사과정(제1저자)은 "낮은 온도에서 육방정계 질화붕소가 기판에 증착되는지 연구하던 중 우연히 '비정질 질화붕소'의 유전율 특성을 발견했고, 반도체 절연체로 적용할 수 있다는 것을 확인했다"고 말했다.
신현석 UNIST 교수는 "상용화에 성공하면 중국의 반도체 굴기와 일본 수출규제 등 반도체 산업에 닥친 위기를 반전시킬 수 있는 의미있는 연구성과"라며 "반도체 칩의 전력소모를 줄이고, 작동 속도도 높이는 데 기여할 것"이라고 밝혔다.
이번 연구결과는 세계 최고의 학술지 '네이처(25일자)'에 게재됐다.이준기기자 [email protected]
신현석 UNIST 교수 연구팀은 반도체 소자를 더 미세하게 만들 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다. 이 절연체는 반도체 칩의 전력 소모를 줄이고, 작동 속도를 높일 수 있다. UNSIT 제공 디지털타임스 채널 구독 / 뉴스스탠드 구독
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