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폰의달인, 갤럭시노트20 출시 앞두고 갤럭시S20·갤럭시S10 5G 재고정리 주목

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작성자 명달빛 작성일20-06-25 01:44 댓글0건

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삼성전자가 상반기 아쉬웠던 성적을 만회하기 위해 총력을 다하고 있다. 하반기 전략 플래그십 스마트폰 갤럭시노트20이 출시를 앞두고 있는 가운데 갤럭시폴드2와 갤럭시Z플립 5G까지 출격을 앞두고 있다는 전망이 나왔다.

오는 8월 5일 언팩행사를 통해 3가지 모델을 모두 공개한 뒤 갤럭시노트20이 먼저 출시되고 갤럭시폴드2와 갤럭시Z플립 5G는 8월 말부터 잇따라 출시될 것으로 보인다.

또한 삼성전자는 갤럭시노트9을 출고가를 낮춰 재 출시했다. 갤럭시노트9은 2년 전 출시된 모델이지만 여전히 인기 있는 모델이다. 그런 갤럭시노트9이 출고가까지 낮아져 재 출시하자 가성비를 추구하는 소비자들에게 많은 인기를 얻고 있다.

이런 가운데 50만 명의 회원이 활동하는 온라인 스마트폰 공동구매 카페 '폰의달인'은 갤럭시노트20 출시 전 갤럭시S20, 갤럭시S10 5G, 갤럭시노트9 등 갤럭시 시리즈를 대상으로 특가판매를 진행한다고 밝혔다.

내용에 따르면 공시지원금과 추가지원금이 적용된 갤럭시S20이 30만 원대, 갤럭시S10 5G와 갤럭시노트9이 10만 원대로 책정되었으며 갤럭시A90, 갤럭시A31, 갤럭시A51 등의 중저가형 스마트폰은 더욱 부담없는 가격으로 구입이 가능하다.

폰의달인 관계자는 "하반기 신모델 출시가 다가옴에 따라 기존 모델들에 대한 대대적인 할인 판매가 진행되고 있으며, 주문이 폭주하고 있는 만큼 재고가 소진되기 전에 좋은 조건으로 구입하시길 바란다."라고 전했다.

또한 폰의달인에서는 하반기 출시 예정인 갤럭시노트20, 아이폰12 사전예약 알림서비스를 진행하고 있는데 신청만 하더라도 사전예약 진행 시 무료 문자알림 서비스와 스타벅스 아메리카노 기프티콘을 제공하고 알림서비스를 통해 개통까지 진행한 고객을 대상으로 에어팟 프로, 애플워치, 아이패드 등 고가의 프리미엄 사은품을 제공한다.

이밖에도 폰의달인은 온라인, 오프라인 모두 재고를 구하기가 어려운 아이폰SE2를 황금재고로 입수하여 저렴한 가격에 판매하고 있으며, 인터넷 가입 시 KT 44만원, LG와 SK가 46만원, LG헬로비전이 45만원에 해당하는 현금 사은품을 최대로 제공하고 있다.

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UNIST 신현석 교수팀, 초저유전율 절연체 '비정질 질화붕소' 개발
"반도체 내부 전기 간섭 최소화 가능…집적도·성능 향상 기대"


(서울=연합뉴스) 이주영 기자 = 국내 연구진이 반도체를 더 작게 만드는 데 걸림돌이 되는 절연체의 전기적 간섭 문제를 극복할 수 있는 신소재를 개발했다.

울산과학기술원(UNIST) 자연과학부 신현석 교수팀은 25일 '네이처'(Nature)에서 삼성전자종합기술원 신현진 전문연구원팀, 기초과학연구원(IBS) 등과 국제공동연구를 통해 반도체 소자를 더 미세하게 만들 수 있는 '초저유전율 절연체'를 개발했다고 밝혔다.

초저유전율 절연체 '비정질 질화붕소' 비정질 질화붕소 분자 구조(왼쪽)와 실리콘 기판 위에 비정질 질화붕소 박막이 형성되는 모습 [UNIST 제공. 재판매 및 DB 금지]

반도체 소자는 실리콘 같은 반도체, 금속, 절연체 등으로 구성되는데 집적도를 높이기 위해서는 단위 소자(회로) 등을 더 작게 만드는 기술과 함께 작아질수록 증가하는 전기간섭 영향 등을 줄일 수 있는 우수한 절연체가 필요하다.

특히 나노미터(㎚:10억분의 1m) 수준의 반도체 공정에서는 내부 전기간섭이 심해져 정보처리 속도가 느려지기 때문에 전기 간섭을 최소화할 수 있는 초저유전율 신소재 개발이 반도체 소형화 한계를 극복할 핵심으로 꼽혀왔다.

집적회로(IC) 구조집적회로는 트랜지스터, 다이오드, 저항, 커패시터 등 전자부품들을 정밀하게 만들어 작은 반도체 속에 하나의 전자회로로 구성해 집어넣은 것으로 작아질수록 전기 간섭을 적게 받는 초저유전율 절연체가 필요하다. [UNIST 제공. 재판매 및 DB 금지]

유전율은 절연체가 외부 전기장에 반응하는 민감도를 의미한다. 유전율이 낮으면 전기적 간섭이 줄어들어 반도체 소자 내 금속 배선의 간격을 줄일 수 있어 반도체를 더 작게 만들 수 있다.

연구팀은 이 연구에서 유전율이 1.78로 현재 반도체 공정에 사용되는 절연체인 '다공성 유기규산염'(p-SiCOH. 유전율 2.5)보다 훨씬 낮은 '비정질 질화붕소(a-BN : amorphous boron nitride) 소재'를 합성하는 데 성공했다.

질화붕소는 그동안 널리 연구돼온 소재로 규칙적인 결정구조를 가진 육방정계 질화붕소(h-BN)는 '화이트 그래핀'으로 불리며 절연체로 사용되고 있다. 원자 배치가 불규칙한 비정질 질화붕소도 1960년대부터 연구돼 왔으나 유전율이 3~6 정도로 주목받지 못했다.

연구팀은 이 연구에서 육방정계 질화붕소가 기판에 증착되는지 연구하던 중 우연히 '비정질 질화붕소'의 우수한 유전율 특성을 발견하고, 반도체 절연체로 적용할 수 있다는 것을 실험으로 확인했다.

비정질 질화붕소 박막 형성 과정실리콘 기판(노란색) 위에 붕소 및 질소 증착에 의해 3㎚ 두께의 비정질 질화붕소 박막이 형성되는 과정 시뮬레이션. [UNIST 제공. 재판매 및 DN 금지]

현재의 반도체 공정 조건에서 플라스마를 도입한 화학기상증착법으로 반도체에 사용되는 기판에 3㎚ 두께의 비정질 질화붕소 박막을 만드는 데 성공했다.

이렇게 제작한 비정질 질화붕소는 기존에 보고된 a-BN보다 결정성이 더 낮았고, 전기소자(커패시터)를 만들어 유전율을 측정한 결과 1.78(100㎑ 교류전류 주파수)과 1.16(1㎒ 교류전류 주파수)으로 측정됐다.

연구팀은 유전율이 낮은 이유가 '원자 배열의 불규칙성' 때문이라고 밝혔다. a-BN을 구성하는 원자 배열이 불규칙해 주변에 전기가 흐를 때 형성되는 내부 분극 현상이 상쇄될 수 있다고 설명했다.

또 기존에는 유전율을 낮추기 위해 소재 안에 미세한 공기 구멍을 넣어 강도가 약해지는 문제가 있었으나 a-BN은 물질 자체의 유전율이 낮아 이런 작업 없이도 높은 기계적 강도를 유지할 수 있다고 연구팀은 설명했다.

신현석 UNIST 교수는 "이 물질이 상용화되면 중국 반도체 굴기와 일본 수출 규제 등 반도체 산업에 닥친 위기를 이겨내는 데 큰 도움이 될 것"이라며 "'반도체 초격차 전략'을 이어갈 수 있는 핵심 소재기술"이라고 강조했다.

이차원 소재들의 구조[UNIST 제공. 재판매 및 DB 금지]

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